记忆体模组

摘要

明揭示一种资料储存装置，其包含：一记忆体晶粒，其包含配置成三维(3D)记忆体组态之复数个储存元件；及一控制器晶粒，其经由一汇流排而耦合至该记忆体晶粒，该汇流排包含该记忆体晶粒及该控制器晶粒之相邻表面之间之复数个电接点。本发明揭示一种在该资料储存装置处执行之方法，其包含：在该控制器晶粒处接收待储存于该记忆体晶粒处之资料；及产生表示该资料之一码字。该码字包含特定数目个位元。该方法亦包含：经由该复数个电接点而将信号从该控制器晶粒发送至该记忆体晶粒。该复数个电接点包含至少与该码字之位元之该特定数目一样多之电接点，且将表示该码字之该等信号从该控制器晶粒并行地发送至该记忆体晶粒。

主权项

一种资料储存装置，其包括：一第一晶片堆叠，其包含：一第一记忆体晶粒，其包括配置成一个三维(3D)记忆体组态之复数个第一储存元件；及一第一控制器晶粒，其经由一第一汇流排而耦合至该第一记忆体晶粒，该第一汇流排由该第一记忆体晶粒及该第一控制器晶粒之相邻表面之间之复数个第一电接点形成；一第二晶片堆叠，其包含：一第二记忆体晶粒，其包括配置成一3D记忆体组态之复数个第二储存元件；及一第二控制器晶粒，其经由一第二汇流排而耦合至该第二记忆体晶粒，该第二汇流排由该第二记忆体晶粒及该第二控制器晶粒之相邻表面之间之复数个第二电接点形成；及一基板，其具有一第一表面，其中该第一晶片堆叠及该第二晶片堆叠耦合至该基板之该第一表面处，该基板包含：一第二表面，其相对于该第一表面；及复数个第三电接点，其等位于该第二表面处，其中该复数个第三电接点电耦合至该第一晶片堆叠、该第二晶片堆叠或上述两者。