| 摘要 |
<p>Verfahren zur Herstellung einer feinen Linie, umfassend die folgenden Schritte: (1) Herstellen einer Trägerschicht für ein Seitenwandverfahren auf einem Substrat, wobei dieser Schritt die folgenden Schritte umfasst: (a) Abscheiden einer Siliciumnitridschicht auf dem Substrat; (b) Auftragen eines Fotolacks auf die Siliciumnitridschicht und Durchführen eines Photolithographieverfahrens, um einen Bereich zu definieren, der als Trägerschicht verwendet werden soll; (c) Durchführen eines Trockentrimmverfahrens mit dem Fotolack; (d) Durchführen eines Trockenätzverfahrens, um das Muster des Fotolacks auf die Siliciumnitridschicht zu übertragen; (e) Entfernen des Fotolacks, so dass man die Trägerschicht aus Siliciumnitrid auf dem Substrat erhält; (2) Herstellen von Seitenwänden aus Siliciumoxid auf dem Substrat, wobei dieser Schritt die folgenden Schritte umfasst: (a) Abscheiden einer Siliciumoxidschicht auf dem Substratmaterial und der als Trägerschicht verwendeten Siliciumnitridschicht; (b) Ätzen der Siliciumoxidschicht mit Hilfe eines Trockenätzverfahrens; (c) Durchführen eines Nassätzverfahrens mit der Trägerschicht aus Siliciumnitrid; (d) Durchführen eines Nasstrimmverfahrens mit den Seitenwänden aus Siliciumoxidschicht; und (3) Gewinnen einer Nanolinie mit einer erheblich verbesserten LER auf dem Substratmaterial, wobei dieser Schritt die folgenden Schritte umfasst: (a) Ätzen des Substratmaterials unter Verwendung eines anisotropen Trockenätzverfahrens, um eine Nanolinie aus dem Substratmaterial zu erhalten; (b) Entfernen der sich darauf befindenden Maske aus Siliciumoxid durch Verwendung eines Nassätzverfahrens; ...</p> |
