发明名称 高响应速率通信发光器件
摘要 本发明公开一种高响应速率通信发光器件,包括可见光通信LED器件、负电极和正电极,所述可见光通信LED器件内共有若干个长条形芯片,所述若干个长条形芯片采用并联电气连接的方式连接,若干个长条形芯片之间形成沟道,所述沟道填充了绝缘层,以使得芯片之间相互电气隔离,每个长条形芯片包括衬底、产生电子的n型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生空穴的p型层和ITO导电层,所述产生电子的n型层与所述衬底接触,所述ITO导电层与芯片顶部的金属电极相接触,所述正电极与衬底之间设有绝缘层和金属导线。本发明通过采用长条形小尺寸发光芯片结构,大大降低了通信发光器件的尺寸。同时,使电荷较快在整个芯片均匀分布,有效提升响应速率。
申请公布号 CN105185774A 申请公布日期 2015.12.23
申请号 CN201510584645.9 申请日期 2015.09.15
申请人 华南师范大学 发明人 孙慧卿;黄涌;张诚;李旭娜;孙浩;范宣聪;张柱定;黄鸿勇;郭志友
分类号 H01L25/075(2006.01)I 主分类号 H01L25/075(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 邱奕才;汪晓东
主权项 一种高响应速率通信发光器件,包括可见光通信LED器件、负电极和正电极,其特征在于,所述可见光通信LED器件内共有若干个长条形芯片,所述若干个长条形芯片采用并联电气连接的方式连接,若干个长条形芯片之间形成沟道,所述沟道填充了绝缘层,以使得芯片之间相互电气隔离,每个长条形芯片包括顶部的金属电极、衬底、产生电子的n型层、电子和空穴复合的量子阱层、产生空穴的p型层和ITO导电层,所述产生电子的n型层与所述衬底接触,所述ITO导电层与金属电极相接触,所述正电极与衬底之间设有绝缘层和金属导线。
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