混合基板的制造方法和混合基板

摘要

通过准备在硅基板上将第1硅氧化膜和硅活性层依次地层叠而成、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，对上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板的贴合面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，接下来，对于上述贴合基板在规定的热处理温度条件和板厚薄化条件下将提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理和将上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合反复进行至少2次，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而通过蚀刻将第1硅氧化膜除去，从而在不进行基板外周的修剪、不存在基板外周部的硅活性层的部分的剥离等不利情形下得到具有良好的硅活性层的SOI结构的混合基板。

主权项

混合基板的制造方法，其特征在于，准备在硅基板上依次层叠第1硅氧化膜和硅活性层而成的、在该硅基板面外周部形成了不具有上述硅活性层的台阶部的SOI基板，在该SOI基板的硅活性层表面形成第2硅氧化膜，将上述SOI基板和与该SOI基板热膨胀率不同的支持基板贴合时，对该SOI基板和/或支持基板贴合的面进行活性化处理，与室温相比在高温下经由第2硅氧化膜将上述SOI基板和支持基板贴合，制成贴合基板，接下来，对于上述贴合基板反复进行至少2次提高SOI基板与支持基板的结合力的结合热处理与对上述硅基板研削而薄化的研削薄化处理的组合时，使第1次的结合热处理的温度为上述贴合的温度以上，使第1次的研削薄化处理后的硅基板的厚度最薄至130μm，使最后一次的结合热处理的温度为200℃以上且不到250℃，使最后一次的研削薄化处理后的硅基板的厚度最薄至60μm，进行上述结合热处理和研削薄化处理，接下来，通过蚀刻将上述薄化的硅基板除去而使第1硅氧化膜露出，进而，通过蚀刻将露出的第1硅氧化膜除去，得到在支持基板上经由硅氧化膜而具有硅活性层的混合基板。