| 发明名称 |
ＥＳＤ保護用半導体デバイス |
| 摘要 |
静電放電保護のための半導体デバイスは、基板と、該基板内に形成された第１のウェル及び第２のウェルとを含む。第１及び第２のウェルは、横並びに形成されて界面にて交わり、それぞれ第１の導電型及び第２の導電型を有する。第１の高濃度ドープ領域及び第２の高濃度ドープ領域が第１のウェルに形成される。第３の高濃度ドープ領域及び第４の高濃度ドープ領域が第２のウェルに形成される。第１、第２、第３、及び第４の高濃度ドープ領域が、それぞれ、第１の導電型、第２の導電型、第２の導電型、及び第１の導電型を有する。第１及び第２の高濃度ドープ領域の位置は、界面に平行な方向に沿って交互に配置される。【選択図】図１Ａ |
| 申请公布号 |
JP2015536564(A) |
申请公布日期 |
2015.12.21 |
| 申请号 |
JP20150537101 |
申请日期 |
2012.10.22 |
| 申请人 |
シーエスエムシー テクノロジーズ エフエイビー１ カンパニー リミテッド |
发明人 |
リン ジョンユ;ダイ メン;フー ヨンハイ |
| 分类号 |
H01L21/329;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/861;H01L29/87 |
主分类号 |
H01L21/329 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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