发明名称 METHOD AND APPARATUS FOR POLISHING OUTER CIRCUMFERENTIAL END SECTION OF SEMICONDUCTOR WAFER
摘要 <p>이면 연삭 공정에 있어서의 반도체 웨이퍼 외주 단부의 나이프 엣지화를 방지하고, 또한 보호 시트의 접착 위치에 좌우되지 않고, 보호 시트와 함께 연삭할 때에 발생하는 막힘 문제가 없어, 연속해서 외주 단부를 대략 수직으로 연삭면을 형성하는 것이 가능한 반도체 웨이퍼 외주 단부의 연삭 방법 및 장치를 제공한다. 반도체 소자가 형성된 표면이 보호 시트에 의해 접착된 반도체 웨이퍼(11)의 외주 단부를 연삭하는 방법이며, 반도체 웨이퍼(11)의 표면을 수평 방향으로 보유 지지하는 반도체 웨이퍼 보유 지지 공정과, 주행 가능한 연삭 테이프(20)가 내장된 연삭 헤드(40)의 연삭 테이프(20)를 주행시켜, 반도체 웨이퍼(11)의 외주 단부에 눌러 연삭하는 외주 단부 연삭 공정을 구비하여 이루어지고, 연삭 테이프(20)는, 지립을 정전 살포에 의해 부착한 것인 것을 특징으로 한다.</p>
申请公布号 KR101578956(B1) 申请公布日期 2015.12.18
申请号 KR20107016475 申请日期 2009.02.17
申请人 니혼 미크로 코팅 가부시끼 가이샤 发明人 야마구찌 나오히로;마쯔모또 야스오;가또오 겐지;히라가 다까시
分类号 B24B9/00;B24B21/00;B24D11/00;H01L21/304 主分类号 B24B9/00
代理机构 代理人
主权项
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