发明名称 |
过电压保护电路、过电压保护方法以及闸极驱动积体电路;OVERVOLTAGE PROTECTION CIRCUIT, OVERVOLTAGE PROTECTION METHOD AND GATE DRIVING INTEGRATED CIRCUIT |
摘要 |
一种过电压保护电路、过电压保护方法以及闸极驱动积体电路。过电压保护方法用于过电压保护电路。过电压保护电路耦接第一开关。第一开关具有控制端。过电压保护方法包括以下步骤:比较第一电压预设值与工作电压来产生第一致能信号;以及当第一致能信号产生时,比较第一开关的控制端的电压与参考电压,以决定过电压保护电路是否执行过电压保护操作,从而可避免因高电压应力而损坏负载。; and when the first enable signal is generated, comparing a voltage of the control terminal of the first switch and a reference voltage for determining whether the overvoltage protection circuit will perform an overvoltage protection operation, so as to avoid damage to a load due to high voltage stress. |
申请公布号 |
TW201547144 |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
TW103120047 |
申请日期 |
2014.06.10 |
申请人 |
力智电子股份有限公司 UPI SEMICONDUCTOR CORP. |
发明人 |
徐正青 HSU, CHEN CHING |
分类号 |
H02H7/10(2006.01);H02H3/20(2006.01) |
主分类号 |
H02H7/10(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文叶璟宗 |
主权项 |
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地址 |
新竹县竹北市台元一街5号9楼之1 TW |