发明名称 过电压保护电路、过电压保护方法以及闸极驱动积体电路;OVERVOLTAGE PROTECTION CIRCUIT, OVERVOLTAGE PROTECTION METHOD AND GATE DRIVING INTEGRATED CIRCUIT
摘要 一种过电压保护电路、过电压保护方法以及闸极驱动积体电路。过电压保护方法用于过电压保护电路。过电压保护电路耦接第一开关。第一开关具有控制端。过电压保护方法包括以下步骤:比较第一电压预设值与工作电压来产生第一致能信号;以及当第一致能信号产生时,比较第一开关的控制端的电压与参考电压,以决定过电压保护电路是否执行过电压保护操作,从而可避免因高电压应力而损坏负载。; and when the first enable signal is generated, comparing a voltage of the control terminal of the first switch and a reference voltage for determining whether the overvoltage protection circuit will perform an overvoltage protection operation, so as to avoid damage to a load due to high voltage stress.
申请公布号 TW201547144 申请公布日期 2015.12.16
申请号 TW103120047 申请日期 2014.06.10
申请人 力智电子股份有限公司 UPI SEMICONDUCTOR CORP. 发明人 徐正青 HSU, CHEN CHING
分类号 H02H7/10(2006.01);H02H3/20(2006.01) 主分类号 H02H7/10(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文叶璟宗
主权项
地址 新竹县竹北市台元一街5号9楼之1 TW