发明名称 |
一种提高波导与光纤耦合效率的方法 |
摘要 |
本发明是一种提高波导与光纤耦合效率的方法。该方法包括,在制作好的波导表面淀积二氧化硅,将波导完全包裹住,然后刻蚀二氧化硅至衬底硅,形成二氧化硅波导包裹硅波导的耦合端结构,然后将衬底硅向内刻蚀10微米至50微米,形成10微米至50微米的二氧化硅波导包裹硅波导的悬空耦合端结构。本发明有效地提高了耦合结构对光场的限制能力,降低了倒锥形耦合结构端头的弥散损耗,消除了光场扩散后向衬底的泄漏损耗,提高与光纤的耦合效率。 |
申请公布号 |
CN101587207A |
申请公布日期 |
2009.11.25 |
申请号 |
CN200810112203.4 |
申请日期 |
2008.05.21 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
耿敏明;张磊;贾连希;杨林;刘育梁 |
分类号 |
G02B6/136(2006.01)I;G02B6/12(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/136(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1、一种提高波导与光纤耦合效率的方法,其特征在于,包括以下步骤:在纳米线波导顶层淀积二氧化硅;对二氧化硅进行光刻和干法刻蚀,刻蚀二氧化硅至衬底;在输入/输出端向内刻蚀衬底;在输入/输出端的耦合结构处形成波导结构。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |