发明名称 光学信息记录介质及其制造方法
摘要 本发明提供光学信息记录介质,其含有记录层,且通过激光束照射所述记录层而进行信息的记录与再现,其特征在于:所述记录层含有低氧化物Te-O-M与材料X的混合物,其中M是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素,X是从氟化物、碳化物、氮化物以及除Te氧化物外的氧化物之中选择的至少一种化合物,其中低氧化物是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物;在所述Te-O-M中所述M的原子浓度为x原子%、所述Te的原子浓度为y原子%的场合,所述x以及所述y满足0.05y≤x≤y的关系;所述混合物中含有的所述材料X为30摩尔%或以下;以及所述记录层的厚度为3nm至20nm。还提供该光学信息记录介质的制造方法。
申请公布号 CN100466077C 申请公布日期 2009.03.04
申请号 CN200410048920.7 申请日期 2004.06.14
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 宇野真由美;儿岛理惠;山田升
分类号 G11B7/24(2006.01);G11B7/26(2006.01) 主分类号 G11B7/24(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 陈建全
主权项 1.一种光学信息记录介质,其含有记录层,且通过激光束照射所述记录层而进行信息的记录与再现,其特征在于:所述记录层含有低氧化物Te-O-M与材料X的混合物,其中M是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素,X是从氟化物、碳化物、氮化物以及除Te氧化物外的氧化物之中选择的至少一种化合物,其中低氧化物是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物;在所述Te-O-M中所述M的原子浓度为x原子%、所述Te的原子浓度为y原子%的场合,所述x以及所述y满足0.05y≤x≤y的关系;所述混合物中含有的所述材料X为30摩尔%或以下;以及所述记录层的厚度为3nm至20nm。
地址 日本大阪府
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