发明名称 低成本制作复杂三维微结构或微器件方法
摘要 本发明公开了一种低成本制作复杂三维微器件或微结构方法,该方法基于叠层制造原理,综合紫外光压印光刻(或准LIGA)、微电化学加工、牺牲层和溶脱等多种微细加工工艺的优点。整个工艺过程包括微器件三维CAD实体模型微分层、模版制作、多层微器件牺牲层和结构层制作、溶脱和后处理;该方法不但能够实现金属材料复杂三维微器件的制作(例如具有复杂曲面几何形状、高深宽比、悬空、倒切等微结构特征),还可制作具有多层复合材料微器件,具有成本低、精度高、与集成电路工艺兼容和不受复杂几何形状约束的特点。特别适合形状复杂和高导电材料低损耗的RF MEMS器件、可调电容、螺线管、变压器等微器件的制作。
申请公布号 CN1857990B 申请公布日期 2010.05.12
申请号 CN200610042831.0 申请日期 2006.05.18
申请人 西安交通大学 发明人 兰红波;丁玉成;刘红忠;卢秉恒
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 李郑建
主权项 一种低成本制作复杂三维微结构或微器件方法,该方法首先将采用MEMS CAD工具设计完成的微器件三维CAD实体模型输入专用分层软件,利用该软件的微分层功能把微器件三维CAD实体模型沿高度方向离散成一系列具有一定厚度的二维层片,得到每层截面的几何数据信息,生成工艺数据和CIF格式掩模文件;随后根据工艺数据和CIF格式掩模文件制作每层的压印模具或掩模版;其特征在于:在基片上进行预处理和在玻璃基片溅射一层约100nm厚的Cr/Cu电铸种子层;在种子层上进行涂胶、压印光刻或准LIGA工艺制作第一牺牲层,第一牺牲层完成后通过微电铸或化学镀制作结构层,然后经层平面化、表面处理后制作下一层的牺牲层和结构层,直至将所有的层制作完成,每一层均由结构材料和牺牲层材料组成,每层微器件结构材料暂时嵌入到牺牲层材料中,牺牲层材料对结构层材料起到临时辅助支撑作用,最后,通过溶脱工艺去除牺牲层材料和种子层,并经后处理得到最终制品。
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