Halbleiterbauelement mit elektronischen Sicherungen mit erhöhter Programmiereffizienz

摘要

In komplexen integrierten Schaltungen wird eine elektronische Sicherung so hergestellt, dass eine größere Empfindlichkeit für Elektromigration erreicht wird, indem zumindest ein Gebiet mit erhöhter Stromdichte vorgesehen wird. Dies kann erreicht werden, indem ein entsprechendes Sicherungsgebiet als eine nicht-geradlinige Konfiguration vorgesehen wird, wobei in entsprechenden Verbindungsbereichen geradliniger Segmente die gewünschte größere Stromeinschnürung während des Anlegens der Programmierspannung auftritt. Somit kann eine erhöhte Zuverlässigkeit und ein platzsparender Aufbau der elektronischen Sicherungen bewerkstelligt werden.