| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 通过稳定地将熔丝(3)的熔化部分与导电层(5A，5B)分离，允许熔丝(3)的可靠熔化。包括熔丝主体(3A)和由其连接的两个焊盘(3Ba，3Bb)以及单独连接到该两个焊盘(3Ba，3Bb)的两个导电层(5A，5B)的熔丝(3)形成于半导体基板(1)上的多层结构内。定义熔丝主体(3A)的长度，使得当在两个导电层(5A，5B)之间施加电压且熔丝(3)熔化时，熔丝(3)的熔化位置被定位在远离交叠在导电层(5A，5B)上的区域的熔丝主体(3A)内。 | ||
| 申请公布号 | CN1768423B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200480008716.0 | 申请日期 | 2004.03.30 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 森日出树;江尻洋一;浅见健司;大野晃计;吉武伸之 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包含：熔丝(3)，其具有熔丝主体(3A)和由熔丝主体(3A)连接的两个焊盘(3Ba，3Bb)；以及分别连接到两个焊盘(3Ba，3Bb)的两个导电层(5A，5B)，上述熔丝(3)和导电层(5A，5B)被制作在半导体衬底(1)上的多层结构内，其特征在于在上述两个导电层(5A，5B)的至少一个内，导电层(5A，5B)的包括具有焊盘(3Ba，3Bb)的接触区域(4A，4B)的部分的宽度(W3)为6μm至14μm，使得当在两个导电层(5A，5B)之间施加电压以熔化熔丝(3)时，熔丝(3)的熔化位置接近熔丝主体(3A)的中心。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||