发明名称 AN IMPROVED METHOD FOR FABRICATING AN ULTRALOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL AS AN INTRALEVEL OR INTERLEVEL DIELECTRIC IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
摘要
申请公布号 KR100956580(B1) 申请公布日期 2010.05.10
申请号 KR20067023662 申请日期 2005.03.23
申请人 发明人
分类号 H01L21/312;C23C16/40;H01L21/316 主分类号 H01L21/312
代理机构 代理人
主权项
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