发明名称 |
SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DIODE |
摘要 |
<p>Es wird eine Halbleiterleuchtdiode (10) vorgeschlagen mit zumindest einer p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4), einer n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2) sowie einer optisch aktiven Zone (3) zwischen der p-dotierten Leuchtdiodenschicht (4) und der n-dotierten Leuchtdiodenschicht (2), mit einer Oxidschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid und mit mindestens einer Spiegelschicht (9), wobei die Oxidschicht (8) zwischen den Leuchtdiodenschichten (2, 4) und der mindestens einen Spiegelschicht (9) angeordnet ist und eine erste Grenzfläche (8a), die den Leuchtdiodenschichten (2, 4) zugewandt ist, sowie eine zweite Grenzfläche (8b), die der mindestens einen Spiegelschicht (9) zugewandt ist, aufweist und wobei die zweite Grenzfläche (8b) der Oxidschicht (8) eine geringere Rauhigkeit (R2) besitzt als die erste Grenzfläche (8a) der Oxidschicht (8).</p> |
申请公布号 |
WO2009106038(A1) |
申请公布日期 |
2009.09.03 |
申请号 |
WO2009DE00192 |
申请日期 |
2009.02.11 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;AHLSTEDT, MAGNUS;BAUR, JOHANNES;ZEHNDER, ULRICH;STRASSBURG, MARTIN;SABATHIL, MATTHIAS;HAHN, BERTHOLD |
发明人 |
AHLSTEDT, MAGNUS;BAUR, JOHANNES;ZEHNDER, ULRICH;STRASSBURG, MARTIN;SABATHIL, MATTHIAS;HAHN, BERTHOLD |
分类号 |
H01L33/40;H01L33/42;H01L33/46 |
主分类号 |
H01L33/40 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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