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一种集光型发光二极体结构，包含：一载台；一凹槽位于该载台之上；一第一反射层位于该凹槽之上；一黏着层位于该第一反射层之上；及一发光二极体位于该黏着层之上；其中，该凹槽具有一宽度以及一深度，该宽度对该深度比介于0至50之间，该凹槽具有一底表面以及与该底表面连接之一侧表面，该侧表面与该底表面间形成一夹角，该夹角介于10度至89度之间。如申请专利范围第1项所述之集光型发光二极体结构，其中该载台之材料为选自Al2O3、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO、MnO及上述组合所构成材料组群中择其一者。如申请专利范围第1项所述之集光型发光二极体结构，其中该宽度介于100μm至4000μm之间。如申请专利范围第1项所述之集光型发光二极体结构，其中该深度介于10μm至300μm之间。如申请专利范围第1项所述之集光型发光二极体结构，进一步包含一含萤光粉之填充材料填充于该发光二极体与该凹槽间，以及一第二反射层位于该发光二极体上。如申请专利范围第1项所述之集光型发光二极体结构，进一步包含一萤光粉层位于该第一反射层上，并且该黏着层位于该萤光粉层上。如申请专利范围第1项所述之集光型发光二极体结构，其中该第一反射层系为一介电反射层、一金属反射层或一介电反射层与金属反射层之组合。如申请专利范围第7项所述之集光型发光二极体结构，其中该介电反射层之材料为选自二氧化矽、一氧化矽、四氮化矽、氮化物、非晶体半导体、非结晶体半导体、氧化锌、氧化镍、二氧化钛、氧化物及上述组合所构成材料组群中择其一者。如申请专利范围第7项所述之集光型发光二极体结构，其中该介电反射层之材料为包含两种以上之不同折射指数材料之组合。如申请专利范围第7项所述之集光型发光二极体结构，其中该金属反射层包含复数个金属粒子。如申请专利范围第10项所述之集光型发光二极体结构，其中该复数个金属粒子中之一个金属粒子系铬粒子、镍粒子、铝粒子、银粒子或钛粒子。如申请专利范围第7项所述之集光型发光二极体结构，其中该金属反射层之材料为选自Al、Ag、Pt、Ni、Cr、Pd、Sn、Au、Zn、Ti、Pb、Ge、Cu、AuBe、AuGe、PbSn、AuZn及上述之组合所构成材料组群中择其一者。如申请专利范围第1项所述之集光型发光二极体结构，其中该黏着层之材料为选自金、银、铅、铟、锡、导电胶及上述之组合所构成材料组群中择其一者。如申请专利范围第1项所述之集光型发光二极体结构，其中该发光二极体包含一基板，该基板之材料为选自Al2O3、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO、MnO及上述组合中择其一者。如申请专利范围第1项所述之集光型发光二极体结构，其中该凹槽系以蚀刻形成。一种集光型发光二极体制造方法，包含：(a)提供一载台；(b)于该载台上形成一凹槽；(c)于该凹槽上涂布一第一反射层；(d)于该第一反射层之上涂布一黏着层；及(e)设置一发光二极体于该黏着层上；其中，该凹槽具有一宽度以及一深度，该宽度对该深度比介于0至50之间，该凹槽具有一底表面以及与该底表面连接之一侧表面，该侧表面与该底表面间形成一夹角，该夹角介于10度至89度之间。如申请专利范围第16项所述之集光型发光二极体制造方法，其中该宽度介于100μm至4000μm之间。如申请专利范围第16项所述之集光型发光二极体制造方法，其中该深度介于10μm至300μm之间。如申请专利范围第16项所述之集光型发光二极体制造方法，其中步骤(b)系以一蚀刻制程于该载台上形成该凹槽。如申请专利范围第19项所述之集光型发光二极体制造方法，其中该蚀刻制程系使用一化学溶液，该化学溶液系一具OH官能基之中性或硷性溶液、一酸性溶液或一酸性混合溶液。如申请专利范围第20项所述之集光型发光二极体制造方法，其中该化学溶液之重量百分比浓度大于5%。如申请专利范围第19项所述之集光型发光二极体制造方法，其中该蚀刻制程系在温度介于20℃至150℃之间实施。如申请专利范围第16项所述之集光型发光二极体制造方法，进一步包含：于步骤(e)之后，于该发光二极体与该凹槽间填充一含萤光粉填充材料并于该发光二极体上涂布一第二反射层。如申请专利范围第16项所述之集光型发光二极体制造方法，进一步包含：于步骤(c)之后，于该第一反射层上涂布一萤光粉层。如申请专利范围第16项所述之集光型发光二极体制造方法，其中该发光二极体系包含一基板及一磊晶结构，形成该磊晶结构之步骤包含：形成一缓冲层于该基板上；形成一N型半导体层于该缓冲层上；形成一主动层于该N型半导体层上；及形成一P型半导体层于该主动层上。 |
