发明名称 漏泄检测装置及漏泄检测方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.02.11
申请号 TW095109711 申请日期 2006.03.21
申请人 东芝股份有限公司 日本;东芝电子管设备股份有限公司 日本 发明人 大谷良一
分类号 G01M3/20 主分类号 G01M3/20
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种漏泄检测装置,其特征在于:其系检测内容物自检查对象物之漏泄预测区域漏泄者,上述检查对象物收容有上述内容物且具有预测该内容物会漏泄之上述漏泄预测区域,且包含:雷射光照射机构,其照射雷射光;雷射传输光纤,其传输上述雷射光照射机构所照射的雷射光;聚光照射机构,其使自上述雷射传输光纤射出之雷射光整形为对应收容有内容物之检查对象物之漏泄预测区域之形状并同时聚光,并使其能量密度为50 mJ/mm2以上250 mJ/mm2以下而照射于上述漏泄预测区域;及检测机构,其依据自照射有上述雷射光之上述漏泄预测区域放射出之萤光,检测上述内容物之漏泄。如请求项1之漏泄检测装置,其中上述聚光照射机构使上述雷射光照射于密封垫附近,该密封垫系上述漏泄预测区域,且设于上述检查对象物,并且使上述内容物密闭于该检查对象物之内部。如请求项2之漏泄检测装置,其中上述聚光照射机构向检查对象物之上述密封垫之内侧照射上述雷射光。如请求项1至3中任一项之漏泄检测装置,其中上述聚光照射机构使环状之上述雷射光照射于检查对象物。如请求项1至3中任一项之漏泄检测装置,其中上述聚光照射机构使短径与长径之比为0.1以下之扁平椭圆形之上述雷射光照射于检查对象物。如请求项2或3之漏泄检测装置,其中上述聚光照射机构使上述雷射光各自为圆形且向相互不同之方向照射复数次。如请求项1之漏泄检测装置,其中具备输送上述检查对象物,使照射于上述漏泄预测区域之雷射光进行扫描的扫描机构。一种漏泄检测方法,其特征在于:照射经由雷射传输光纤而传输的雷射光;使上述照射之雷射光整形为对应收容有内容物之检查对象物之漏泄预测区域之形状并同时聚光,并使其能量密度为50 mJ/mm2以上250 mJ/mm2以下而照射于上述漏泄预测区域;依据自照射有上述雷射光之上述漏泄预测区域放射出之萤光,检测上述内容物之漏泄。如请求项8之漏泄检测方法,其中使上述雷射光向密封垫附近照射,该密封垫系上述漏泄预测区域,且设于上述检查对象物,并且使上述内容物密闭于该检查对象物之内部。如请求项9之漏泄检测方法,其中向上述密封垫之内侧并照射上述雷射光。如请求项8至10中任一项之漏泄检测方法,其中照射环状之上述雷射光。如请求项8至10中任一项之漏泄检测方法,其中照射短径与长径之比为0.1以下之扁平椭圆形之上述雷射光。如请求项9或10之漏泄检测方法,其中使上述雷射光各自为圆形且向相互不同之方向照射复数次。如请求项8之漏泄检测方法,其中输送上述检查对象物,使照射于上述漏泄预测区域之雷射光进行扫描。
地址 日本;日本