发明名称 |
一种MOSFET芯片封装结构 |
摘要 |
本实用新型涉及一种MOSFET芯片封装结构,封装结构包括单颗MOSFET芯片,载板,所述单颗MOSFET芯片正面通过其上的凸点与载板上的载板焊盘进行连接,且所述单颗MOSFET芯片背面通过导电层与所述载板焊盘进行连接,且,导电层的一部分通过芯片上的通孔可连接到载板焊盘中,并在单颗MOSFET芯片和载板之间具有填充物,通孔通过填充物。 |
申请公布号 |
CN204857708U |
申请公布日期 |
2015.12.09 |
申请号 |
CN201520531898.5 |
申请日期 |
2015.07.21 |
申请人 |
宁波芯健半导体有限公司 |
发明人 |
曹凯;谢皆雷;罗立辉;吴超 |
分类号 |
H01L23/485(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/485(2006.01)I |
代理机构 |
余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 |
代理人 |
胡小永 |
主权项 |
一种MOSFET芯片封装结构,封装结构包括单颗MOSFET芯片(100),载板(500),其特征在于,所述单颗MOSFET芯片(100)正面通过其上的凸点(400)与载板(500)上的载板焊盘(501)进行连接,且所述单颗MOSFET芯片(100)背面通过导电层(700)与所述载板焊盘(501)进行连接,且,导电层(700)的一部分通过芯片(100)上的通孔(701)可连接到载板焊盘(501)中,并在单颗MOSFET芯片(100)和载板(500)之间具有填充物(600),通孔(701)通过填充物(600)。 |
地址 |
315327 浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区中横路18号 |