| 发明名称 | 组合薄膜制备及原位表征系统 | ||
| 摘要 | 公开了一种组合薄膜制备及原位表征系统，包括：生长腔，所述生长腔中设有组合薄膜生长装置，用于在基片上生长组合薄膜；至少一个表征腔，所述表征腔中设有组合薄膜表征装置；准备腔，用于对所述基片、样品以及测试探针进行预处理；中转腔，所述中转腔同生长腔、表征腔以及准备腔之间分别通过管道连接，所述管道设有阀门；机械臂，用于在所述中转腔、表征腔以及生长腔之间传递样品。该系统复用中转腔实现不同腔室之间的真空互联，从而可以实现原位表征和准原位表征。 | ||
| 申请公布号 | CN105132864A | 申请公布日期 | 2015.12.09 |
| 申请号 | CN201510446068.7 | 申请日期 | 2015.07.27 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 郇庆;何格;袁洁;金魁;刘利 |
| 分类号 | C23C14/24(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人 | 蔡纯;冯丽欣 |
| 主权项 | 一种组合薄膜制备及原位表征系统，包括：生长腔，所述生长腔中设有组合薄膜生长装置，用于在基片上生长组合薄膜；至少一个表征腔，所述表征腔中设有组合薄膜表征装置；准备腔，用于对所述基片进行预处理；中转腔，所述中转腔同生长腔、表征腔以及准备腔之间分别通过管道连接，所述管道设有阀门；机械臂，用于在所述中转腔、表征腔以及生长腔之间传递样品。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||