| 发明名称 | LED外延层结构生长方法及所得外延层结构和LED芯片 | ||
| 摘要 | 本发明提供了LED外延层结构生长方法及所得外延层结构和LED芯片，其中LED外延层结构的生长方法，包括生长P型AlGaN层和设置于P型AlGaN层顶面上的第一P型GaN层的步骤，还包括在P型AlGaN层和第一P型GaN层之间生长遮蔽层的步骤，遮蔽层为P型AlGaN/InGaN超晶格结构；生长P型AlGaN层时生长温度为750～800℃，Al掺杂浓度为1.8E+20～2.2E+20atom/cm<sup>3</sup>，Mg掺杂浓度为1E+20～2E+20atom/cm<sup>3</sup>；生长P型AlGaN/InGaN超晶格结构时生长温度为850～900℃，Mg掺杂浓度为2E+20～3E+20atom/cm<sup>3</sup>。本发明提供的LED外延层结构中将P型AlGaN/InGaN超晶格结构插入P型AlGaN层和P型GaN层之间，一方面既阻挡了来自量子阱区的大量位错缺陷，防止这些位错缺陷与P型GaN层之间形成漏电通道，同时增强阻挡电子从多量子阱区外溢的能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105118904A | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201510502776.8 | 申请日期 | 2015.08.14 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 郭嘉杰;苏军;徐迪 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 长沙智嵘专利代理事务所(普通合伙) 43211 | 代理人 | 黄子平 |
| 主权项 | 一种LED外延层结构的生长方法，包括生长P型AlGaN层和设置于所述P型AlGaN层顶面上的第一P型GaN层的步骤，其特征在于，还包括在所述P型AlGaN层和所述第一P型GaN层之间生长遮蔽层的步骤，所述遮蔽层为P型AlGaN/InGaN超晶格结构；生长所述P型AlGaN层时生长温度为750～800℃，Al掺杂浓度为1.8E+20～2.2E+20atom/cm<sup>3</sup>，Mg掺杂浓度为1E+20～2E+20atom/cm<sup>3</sup>；生长所述P型AlGaN/InGaN超晶格结构时生长温度为850～900℃，Mg掺杂浓度为2E+20～3E+20atom/cm<sup>3</sup>。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘有色金属产业园区 | ||