| 发明名称 | 交替排列的P型和N型半导体薄层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种交替排列的P型和N型半导体薄层的制备方法，包括步骤：1)在硅衬底上形成半导体层；2)打开预定窗口，并在同一窗口上对所述半导体层进行P型和N型掺杂介质注入；3)重复步骤1)和2)，直至半导体层的总厚度达到预定厚度；4)对所述P型和N型掺杂介质进行扩散。本发明通过在同一位置进行P型和N型掺杂介质的注入，提高了超级结耗尽区结构制备工艺的稳定性，并同时降低了制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103094106B | 申请公布日期 | 2015.12.02 |
| 申请号 | CN201110332535.5 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘继全 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 交替排列的P型和N型半导体薄层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅衬底上形成半导体层；2)打开预定窗口，并在同一窗口上对所述半导体层进行P型和N型掺杂介质的垂直注入；3)重复步骤1)和2)，直至半导体层的总厚度达到预定厚度；4)对P型和N型掺杂介质进行扩散。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||