| 发明名称 |
半导体装置与其之制造方法;Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof |
| 摘要 |
一种半导体装置包含基板、通道层、间隔层、阻障层与氧化披覆层。通道层置于基板上。间隔层置于通道层上。阻障层置于间隔层上。氧化披覆层置于阻障层上。氧化披覆层之材质为氮氧化物。 |
| 申请公布号 |
TW201545315 |
申请公布日期 |
2015.12.01 |
| 申请号 |
TW104116739 |
申请日期 |
2015.05.26 |
| 申请人 |
台达电子工业股份有限公司 DELTA ELECTRONICS, INC. |
发明人 |
廖文甲 LIAO, WENCHIA |
| 分类号 |
H01L27/105(2006.01);H01L29/772(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财李世章 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
桃园市龟山区山莺路252号 TW |
