发光二极体晶片及其制作方法

主权项

一种发光二极体晶片，包括：一混成基板，包括：一成长基板；以及一金属氮化物薄膜，配置于该成长基板上，在该金属氮化物薄膜中，金属的含量大于氮的含量，其中该金属氮化物薄膜具有一成长表面，其中该混成基板具有多个从该成长表面延伸至该混成基板内部之掺杂区；以及一半导体元件层，包括：一第一型半导体层，配置于该金属氮化物薄膜的该成长表面上；一主动层，配置于该第一型半导体层上；以及一第二型半导体层，配置于该主动层上。