一种半导体器件终端结构的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件终端结构的制造方法，包括：1）提供表面形成有场氧化层的半导体衬底，形成覆盖于所述场氧化层终端区域的第一光致抗蚀剂；2）采用干法刻蚀工艺去除场氧化层的部分厚度；3）采用湿法腐蚀工艺去除场氧化层的剩余部分厚度，并使剩余的场氧化层形成倾斜侧壁；4）形成第一硬掩膜、第二硬掩膜及第二光致抗蚀剂；5）通过光刻工艺形成刻蚀窗口，通过所述刻蚀窗口对所述半导体衬底进行刻蚀形成沟槽结构。本发明采用干法刻蚀-湿法腐蚀两步形成具有倾斜侧壁的场氧化层，避免的有机物的堆积；氮氧化硅硬掩膜可以有效提高沟槽结构的轮廓质量，降低漏电流；有效降低了IGSS和提高产品的良率，而且步骤简单，适用于工业生产。

主权项

一种半导体器件终端结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：1)提供表面形成有场氧化层的半导体衬底，形成覆盖于所述场氧化层终端区域的第一光致抗蚀剂；2)采用干法刻蚀工艺去除没被所述第一光致抗蚀剂覆盖的场氧化层的部分厚度；3)采用湿法腐蚀工艺去除没被所述第一光致抗蚀剂覆盖的场氧化层的剩余部分厚度，并使剩余的场氧化层形成倾斜侧壁；4)去除所述第一光致抗蚀剂，于所述半导体衬底表面形成第一硬掩膜，于所述第一硬掩膜及剩余的场氧化层表面形成第二硬掩膜，于所述第二硬掩膜表面形成第二光致抗蚀剂；5)通过光刻工艺及刻蚀工艺于所述第二光致抗蚀剂、第二硬掩膜及第一硬掩膜中形成刻蚀窗口，通过所述刻蚀窗口对所述半导体衬底进行刻蚀形成沟槽结构。