发明名称 | 金属-氧化物-金属电容器结构 | ||
摘要 | 本发明公开一种金属-氧化物-金属电容器,其包括第一电极、第二电极、多个第一指状物和多个第二指状物。每个第一指状物和与其相应的第二指状物互相平行并且通过低k电介质材料分隔开。采用保护环包围金属-氧化物-金属电容器以防止潮湿渗透进低k电介质材料。本发明还提供了一种金属-氧化物-金属电容器结构。 | ||
申请公布号 | CN103050549B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
申请号 | CN201210196065.9 | 申请日期 | 2012.06.13 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄俊杰;王琳松;林其谚 |
分类号 | H01L29/92(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
主权项 | 一种金属‑氧化物‑金属电容器结构包括:金属‑氧化物‑金属电容器,所述金属‑氧化物‑金属电容器包括低k电介质绝缘层;和保护环,所述保护环包围金属‑氧化物‑金属电容器,其中所述保护环配置成防止潮湿渗透进低k电介质绝缘层;所述保护环包括:在第一金属‑氧化物‑金属层中的第一导电元件;以及在第二金属‑氧化物‑金属层中的第二导电元件,其中所述第一导电元件通过在所述第一金属‑氧化物‑金属层和所述第二金属‑氧化物‑金属层之间的电介质层中的多个通孔插塞与第二导电元件连接。 | ||
地址 | 中国台湾新竹 |