发光二极管封装结构

摘要

本发明提供一种发光二极管封装结构，包括承载基座、覆晶式发光二极管以及封装体。承载基座包括本体以及内嵌于本体内的图案化导电层。本体是由高分子材料所组成。本体具有凹槽，且凹槽的底面与图案化导电层的上表面切齐。本体在橡胶态的热膨胀系数与图案化导电层的热膨胀系数的差异小于30ppm/℃。覆晶式发光二极管设置在承载基座的凹槽内且跨接于图案化导电层上。封装体配置于凹槽内且包覆覆晶式发光二极管。封装体的顶面至凹槽的底面的垂直距离小于或等于凹槽的深度。所述二极管封装结构具有较薄的封装厚度，可以符合现今薄型化的需求。

主权项

一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：承载基座，包括本体以及内嵌于所述本体内的图案化导电层，所述本体是由高分子材料所组成，而所述本体具有凹槽，且所述凹槽的底面与所述图案化导电层的上表面切齐，其中，所述本体在橡胶态的热膨胀系数与所述图案化导电层的热膨胀系数的差异小于30ppm/℃；覆晶式发光二极管，设置在所述承载基座的所述凹槽内且跨接于所述图案化导电层上；以及封装体，配置于所述承载基座的所述凹槽内且包覆所述覆晶式发光二极管，其中，所述封装体的顶面至所述凹槽的所述底面的垂直距离小于或等于所述凹槽的深度。