| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩模对半导体结构进行应力引发离子的注入，在栅极结构的两侧形成位于所述SOI衬底的BOX层之下的应力引发区。相应地，本发明还提供了一种根据上述方法形成的半导体结构。本发明提供的半导体结构及其制造方法在接地层形成应力引发区，所述应力引发区为半导体器件的沟道提供了有利应力，有助于提升半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103377930B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201210117019.5 | 申请日期 | 2012.04.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种半导体结构的制造方法，包括：(a)提供SOI衬底，并在所述SOI衬底上形成栅极结构(200)；(b)以所述栅极结构(200)为掩模对半导体结构进行应力引发离子的注入，在栅极结构的两侧形成位于所述SOI衬底的BOX(110)层之下的应力引发区(150)。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||