发明名称 |
低位错密度Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N外延薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低位错密度Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N外延薄膜的制备方法,制备方法包括:在衬底上外延生长AlN薄膜;将制得的AlN薄膜上外延生长多个周期Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N/AlN超晶格插入层;在上述Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N/AlN超晶格插入层表面外延生长Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N薄膜;腐蚀制得的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N薄膜,形成具有位错坑的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N薄膜;在上述具有位错坑的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N薄膜表面沉积介质膜,形成具有介质膜的外延片;将上述具有介质膜的外延片表面抛光,制得外延片模板;在上述外延片模板上继续外延生长Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N,制得Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N外延薄膜;其中,x、y为不大于1的正数。实现低位错密度的效果。 |
申请公布号 |
CN105097451A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510395293.2 |
申请日期 |
2015.07.03 |
申请人 |
安徽工程大学 |
发明人 |
鲁麟;李明潮;刘畅;吕琛;江明 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
代理人 |
董彬 |
主权项 |
一种低位错密度Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N外延薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:1)在衬底上外延生长AlN薄膜;2)将上述制得的AlN薄膜上外延生长多个周期Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N/AlN超晶格插入层;3)在上述制得的Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N/AlN超晶格插入层表面外延生长Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N薄膜;4)腐蚀上述制得的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N薄膜,形成具有位错坑的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N薄膜;5)在上述具有位错坑的Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N薄膜表面沉积介质膜,形成具有介质膜的外延片;6)将上述具有介质膜的外延片表面抛光,制得外延片模板;7)在上述外延片模板上继续外延生长Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N,制得Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N外延薄膜;其中,x、y为不大于1的正数。 |
地址 |
241000 安徽省芜湖市北京中路 |