用于电子产品制造中的锡银浸镀法

摘要

本发明提供一种用于在铜基板的表面上沉积基于锡的抗晶须涂层的方法。该方法可用于制备包含具有表面的铜基板及在基板表面上基于锡的涂层的物品，其中基于锡的涂层具有介于0.5微米与1.5微米之间的厚度及具有抗铜-锡金属间化合物形成性，其中该抗铜-锡金属间化合物形成性的特征在于，所述物品暴露于至少7次加热与冷却循环时仍维持至少0.25微米厚的不含铜的锡涂层区域，其中每次循环包含使所述物品经受至少217℃的温度及接着冷却至介于约20℃与约28℃之间的温度。

主权项

一种用于在铜基板的表面上沉积基于锡的抗晶须涂层的方法，该方法包括以下步骤：将所述铜基板的表面与锡浸镀组合物接触，从而在单个步骤中通过Sn²⁺离子与基板的Cu金属之间的置换镀反应形成厚度介于0.5微米与1.5微米之间且包含至少80wt％锡的基于锡的涂层，其中所述铜基板选自在以下材料上的铜：印刷电路板、电子装置中的引线框、电子装置中的连接器和凸点下金属化层中的焊垫，该锡浸镀组合物包含：足以提供介于5g/L与20g/L之间的Sn²⁺离子浓度的Sn²⁺离子的源；足以提供介于10ppm与24ppm之间的Ag⁺离子浓度的Ag⁺离子的源；足以提供介于60g/L与120g/L之间的基于硫的络合剂浓度的基于硫的络合剂的源；足以提供介于30g/L与100g/L之间的次亚磷酸根离子浓度的次亚磷酸根离子的源；足以提供介于30g/L与110g/L之间的抗氧化剂浓度的抗氧化剂的源；足以提供至少12g/L的吡咯烷酮浓度的吡咯烷酮的源；及足以将所述组合物的pH降至介于0与5之间的浓度的酸，且其中所述基于锡的涂层在与所述浸镀浴接触期间被直接沉积于所述铜基板的表面上。