| 发明名称 | 一种半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成有隔离结构，将半导体衬底分为第一器件区和第二器件区；在半导体衬底上依次形成高k介电层、覆盖层、伪栅极层、硬掩膜层；图形化所述高k介电层、覆盖层、伪栅极层、硬掩膜层，以形成第一虚拟栅极结构和第二虚拟栅极结构；在所述第一虚拟栅极结构和第二虚拟栅极结构的侧壁上形成偏移侧壁；执行等离子刻蚀以去除残留的覆盖层和高k介电层。依据本发明提供的方法，在有效地解决了半导体器件内的桥连与短路问题的同时未影响半导体器件的性能，从而显著提升器件的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN105097700A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410166999.7 | 申请日期 | 2014.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 隋运奇;韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成有隔离结构，将半导体衬底分为第一器件区和第二器件区；在半导体衬底上依次形成高k介电层、覆盖层、伪栅极层、硬掩膜层；图形化所述高k介电层、覆盖层、伪栅极层、硬掩膜层，以形成第一虚拟栅极结构和第二虚拟栅极结构；在所述第一虚拟栅极结构和第二虚拟栅极结构的侧壁上形成偏移侧壁；执行等离子刻蚀以去除残留的覆盖层和高k介电层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||