电子器件阵列

摘要

本发明涉及电子器件阵列。一种制造该电子器件阵列的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一电子器件的一个或多个第一导电元件以及在上述衬底上形成第二电子器件的一个或多个第二导电元件；在衬底和第一及第二导电元件上形成沟道材料层以提供第一沟道，用于上述第一电子器件的导电元件之间的电荷载流子运动，以及提供第二沟道用于上述第二电子器件的导电元件之间的电荷载流子运动；其中该方法还包括利用照射技术以在单个步骤中减少在第一和第二导电元件之间的一个或多个区域中的沟道材料层的一个或多个选定部分的导电性的步骤a。

主权项

一种制造场效应晶体管阵列的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成第一场效应晶体管的一个或多个第一导电元件以及在所述衬底上形成第二场效应晶体管的一个或多个第二导电元件；在衬底和第一及第二导电元件上形成有机半导体沟道材料层以提供第一沟道，用于所述第一场效应晶体管的导电元件之间的电荷载流子运动，以及提供第二沟道用于所述第二场效应晶体管的导电元件之间的电荷载流子运动；其中该方法还包括如下步骤：(a)利用照射技术以在单一步骤中去除在第一和第二导电元件之间的一个或多个区域中的沟道材料层的一个或多个选定部分，从而减小所述一个或多个选定部分的导电性；(b)在衬底、第一和第二导电元件和沟道材料层上形成电介质层；以及(c)在第一和第二沟道上方形成栅电极并且形成连接所述栅电极的互连线；所述第一导电元件形成所述第一场效应晶体管器件的源电极和漏电极；所述第二导电元件形成所述第二场效应晶体管器件的源电极和漏电极；并且所述步骤(a)包括利用被所述沟道材料的单个功能组吸收的紫外激光辐射烧蚀所述沟道材料层的所述选定部分，其中步骤(a)的所述一个或多个选定部分包括位于所述互连线下方的部分。