发明名称 一种单层电容器用BaTiO<sub>3</sub>陶瓷基片的表面处理方法
摘要 本发明公开一种单层电容器用BaTiO3陶瓷基片的表面处理方法,包括如下步骤:1)研磨盘的选择;(2)研磨液的选择;(3)行星架的选择;(4)先研磨后抛光,研磨速率的控制为研磨速率为8~10μm/min,抛光速率为3~4μm/min,配种控制在3~5kg,研磨时间段控制在30min内;(5)以去离子水、酒精、丙酮和清洗剂中的一种或集中混合均匀,在40~50℃,功率250~300W的范围内超声清洗30min;(6)表面处理后,对基片进行热处理,条件为500~600℃,保温时间2hr;该回收式切削机械能够保护工厂环境,防止切削液污染场地。
申请公布号 CN105070545A 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201510521913.2 申请日期 2015.08.24
申请人 广州天极电子科技有限公司 发明人 丁明建;庄彤;罗正;李杰成;廖浩然
分类号 H01G13/00(2013.01)I 主分类号 H01G13/00(2013.01)I
代理机构 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 代理人 刘兴耿
主权项 一种单层电容器用BaTiO3陶瓷基片的表面处理方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)研磨盘的选择:用铜盘、铝盘、铸铁盘、陶瓷盘、金丝绒盘和羊绒盘中的一种或几种;(2)研磨液的选择:磨料粒度选择为2~20μm的金刚石、碳化硅、氧化铝、氧化硅和氧化铈中的一种或几种,其和去离子水、分散剂、润滑剂、表面活性剂的配比为1:10: 0.002 :0.01: 0.002,也可以是和去离子水、分散剂、润滑剂、表面活性剂中的一种或几种混合均匀液;(3)行星架的选择:以FR‑4玻璃纤维板,环氧树脂,塑料中的一种或几种为母板制作行星架,其厚度大于或等于基片厚度;(4)先研磨后抛光,研磨速率的控制为研磨速率为8~10μm/min,抛光速率为3~4μm/min,配种控制在3~5kg,研磨时间段控制在30min内;(5)以去离子水、酒精、丙酮和清洗剂中的一种或集中混合均匀,在40~50℃,功率250~300W的范围内超声清洗30min;(6)表面处理后,对基片进行热处理,条件为500~600℃,保温时间2hr。
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