发明名称 一种二氧化锡量子点的低温制备方法
摘要 本发明公开一种粒径尺寸在2~4nm的高分散性、高结晶性氧化锡量子点的低温制备方法-溶解氧化法。该方法利用HCl与H<sub>2</sub>O形成的Cl<sup>-</sup>-H<sub>3</sub>O<sup>+</sup>的双电层作用以及溶液中HNO<sub>3</sub>的氧化作用制备氧化锡量子点,该方法制备的氧化锡量子点粒径小、分散性能和结晶性能好;且不需要高温煅烧,具有工艺简单、成本低、制备周期短等特点。
申请公布号 CN105060339A 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201510439281.5 申请日期 2015.07.23
申请人 大连交通大学 发明人 刘世民;柴卫平
分类号 C01G19/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01G19/02(2006.01)I
代理机构 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人 贾汉生;李馨
主权项 一种二氧化锡量子点的低温制备方法,其特征在于:包括以下操作步骤,(1)常温下利用HCl水溶液溶解Sn至黑色胶体状,获得A溶液,其中,HCl与Sn的摩尔比为6~10:1,去离子水与Sn的摩尔比为15~40:1;(2)向A溶液中添加5~50g/L的PVA溶液,搅拌后静置老化获得B溶液,其中,PVA与Sn的质量比为0.13~0.42:1;(3)向B溶液中加入HNO<sub>3</sub>溶液,再经过搅拌、热处理、离心分离后即得到超细氧化锡量子点固体;其中,HNO<sub>3</sub>与Sn的摩尔比为8~16:1。
地址 116028 辽宁省大连市沙河口区黄河路794号
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