发明名称 |
一种二氧化锡量子点的低温制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种粒径尺寸在2~4nm的高分散性、高结晶性氧化锡量子点的低温制备方法-溶解氧化法。该方法利用HCl与H<sub>2</sub>O形成的Cl<sup>-</sup>-H<sub>3</sub>O<sup>+</sup>的双电层作用以及溶液中HNO<sub>3</sub>的氧化作用制备氧化锡量子点,该方法制备的氧化锡量子点粒径小、分散性能和结晶性能好;且不需要高温煅烧,具有工艺简单、成本低、制备周期短等特点。 |
申请公布号 |
CN105060339A |
申请公布日期 |
2015.11.18 |
申请号 |
CN201510439281.5 |
申请日期 |
2015.07.23 |
申请人 |
大连交通大学 |
发明人 |
刘世民;柴卫平 |
分类号 |
C01G19/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01G19/02(2006.01)I |
代理机构 |
大连东方专利代理有限责任公司 21212 |
代理人 |
贾汉生;李馨 |
主权项 |
一种二氧化锡量子点的低温制备方法,其特征在于:包括以下操作步骤,(1)常温下利用HCl水溶液溶解Sn至黑色胶体状,获得A溶液,其中,HCl与Sn的摩尔比为6~10:1,去离子水与Sn的摩尔比为15~40:1;(2)向A溶液中添加5~50g/L的PVA溶液,搅拌后静置老化获得B溶液,其中,PVA与Sn的质量比为0.13~0.42:1;(3)向B溶液中加入HNO<sub>3</sub>溶液,再经过搅拌、热处理、离心分离后即得到超细氧化锡量子点固体;其中,HNO<sub>3</sub>与Sn的摩尔比为8~16:1。 |
地址 |
116028 辽宁省大连市沙河口区黄河路794号 |