| 发明名称 | 一种含Nd、亚微米记忆颗粒CuZnAl的芯片堆叠互连材料 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种含Nd、亚微米记忆颗粒CuZnAl的芯片堆叠互连材料，属于芯片互连材料领域。该互连材料的稀土元素Nd含量为0.01～0.5％，亚微米记忆颗粒CuZnAl为0.05～8％，其余为In。首先采用机械研磨制备In-Nd中间合金粉末，其次混合In-Nd粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加亚微米记忆颗粒CuZnAl，充分搅拌制备膏状含Nd和亚微米记忆颗粒CuZnAl的互连材料，采用喷印工艺在芯片表面制备凸点，在一定压力(1MPa～10MPa)和温度(170℃～260℃)条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度焊点。本互连材料具有高可靠性，可用于三维封装芯片堆叠。 | ||
| 申请公布号 | CN105070709A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201510478932.1 | 申请日期 | 2015.08.06 |
| 申请人 | 江苏师范大学 | 发明人 | 张亮;孙磊;钟素娟;马佳;鲍丽 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人 | 周爱芳 |
| 主权项 | 一种含Nd、亚微米记忆颗粒CuZnAl的芯片堆叠互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：稀土元素Nd含量为0.01～0.5％，亚微米记忆颗粒CuZnAl为0.05～8％，其余为In。 | ||
| 地址 | 221116 江苏省徐州市铜山新区上海路101号 | ||