发射极开关的BJT电路、BJT基极电流过驱动电路和电源转换器控制电路

摘要

本实用新型涉及过驱动发射极开关的双极性结型晶体管的基极电流的方法和相应电路。一种发射极开关的双极性晶体管电路包括：具有联接至输出端子的集电极的双极性结型晶体管BJT、联接至BJT的发射极的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、联接至BJT的基极的偏置电压电源、联接至BJT的基极的缓冲器、和比较器。比较器包括联接至BJT的集电极的第一输入端、联接至基准电压的第二输入端、和联接至缓冲器的输入端的输出端。比较器配置成，在比较器的第一输入端接收BJT的集电极电压、将所接收的集电极电压与基准电压比较、以及使缓冲器向BJT的基极注入电流脉冲直到集电极电压小于基准电压，基准电压指示BJT基本上饱和。

主权项

一种发射极开关的双极性晶体管电路，包括：双极性结型晶体管BJT，所述BJT具有联接至输出端子的集电极；金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，所述MOSFET联接至所述BJT的发射极；联接至所述BJT的基极的偏置电压电源；联接至所述BJT的所述基极的缓冲器；和比较器，所述比较器包括联接至所述BJT的所述集电极的第一输入端、联接至基准电压的第二输入端、和联接至所述缓冲器的输入端的输出端，所述比较器配置成，在所述比较器的所述第一输入端接收所述BJT的集电极电压、将所接收的集电极电压与所述基准电压比较、以及使所述缓冲器向所述BJT的所述基极注入电流脉冲直到所述集电极电压小于所述基准电压，所述基准电压指示所述BJT基本上饱和。