增强光电性能Zr元素掺杂AZO靶材

摘要

Zr元素掺杂AZO靶材,采用粉末冶金法工艺方法，将原料粉ZrO₂粉与AZO粉混合，使掺杂的ZrO₂含量为0.5％，然后对原料粉体进行球磨处理，得到粒度细而均匀的类球形颗粒；将处理过的粉末进行装模；装模后进行冷等静压，压力范围100MPa～200MPa，而后进行烧制，烧制温度范围为1200℃～1500℃；目的是优化晶体结构和表面形貌，增强AZO薄膜的光电特性，提高薄膜的稳定性。从而完善薄膜性能、降低反应温度、提高控制精度、降低制备成本和适应大规模生产。

主权项

增强光电性能Zr元素掺杂AZO靶材,其特征在于使用粉末冶金工艺，制取细小金属或合金粉末，晶粒细小均匀、凝固速度极快，保证了材料的组织均匀，性能稳定，以及良好的冷、热加工性能，且粉末颗粒不受合金元素和含量的限制，可提高强化相含量，从而发展新的材料体系。靶材制造工艺包括以下步骤：1)将原料粉ZrO₂粉与AZO粉混合，掺杂的ZrO₂含量为0.5％，然后对原料粉体进行球磨处理，得到粒度细而均匀的类球形颗粒；2)将处理过的粉末进行装模；3)装模后进行冷等静压，压力范围100MPa～200MPa，而后进行烧制，烧制温度范围为1200℃～1500℃；4)烧制后得到半成品，静置冷却后对半成品进行机械加工，确保内外曲面光滑平整，最终得到Zr元素掺杂AZO的旋转靶材成品。