| 摘要 |
<p>포토레지스트와의 인터믹싱을 일으키지 않고 포토레지스트와 비교하여 큰 드라이 에칭 속도를 가지는 리소그래피용 레지스트 하층막 및 이 하층막을 형성하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다. [청구항1]하기 식(1) ( 중, X은 식(2), 식(3), 식(4) 또는 식(4-1)로 나타나는 기를 나타낸다.)로 나타나는 부분구조를 포함하는 폴리머 및 용제를 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물이다. 이 폴리머는 식(1)로 나타나는 부분구조에 추가로 식(5) (R)(R)Si(O-)식(5)로 나타나는 부분구조 및/또는 식(6) 〔(R)Si(O-)〕Y식(6)으로 나타나는 부분구조를 포함할 수 있다.</p> |
