发明名称 |
半導体デバイス |
摘要 |
【課題】 光学用途に使用するための半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、少なくとも1つの光学用途での使用のための半導体デバイス(1)であって、実質的に光学的受動モードで動作可能な少なくとも1つの光学的受動局面(2)と、実質的に光学活性モードで動作可能な少なくとも1つの材料を含む光学活性材料(3)とを含み、光学的受動局面(2)は、少なくとも1つの結晶シード層(4)をさらに含み、光学活性材料(3)は、光学的受動局面(2)内に設けられて結晶シード層(4)の少なくとも上面(4’)まで延びる少なくとも1つの所定の構造(5)内にエピタキシャルに成長させたものであり、光学的受動局面(2)は、少なくとも1つの受動フォトニック構造体(6)を含むように構造化され、結晶シード層(4)は、結晶ウェハを含み、光学活性材料(3)は、III−V族材料及びII−VI族材料のうちの少なくとも1つを含む、半導体デバイス(1)に関する。【選択図】 図1 |
申请公布号 |
JP2015533025(A) |
申请公布日期 |
2015.11.16 |
申请号 |
JP20150538624 |
申请日期 |
2013.10.31 |
申请人 |
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションINTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
ツォーノマズ、ルーカス;ホフリヒター、イェンス;リヒター、ミリア;リエル、ハイク、イー |
分类号 |
H01S5/026;G02B6/12;G02B6/122;G02B6/124 |
主分类号 |
H01S5/026 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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