改善小尺寸高深宽比结构的湿法工艺润湿性的方法

摘要

本发明公开了一种改善小尺寸高深宽比结构的湿法工艺润湿性的方法，包括以下步骤：首先提供一半导体硅片，将硅片固定在硅片托架上，由托架带动其旋转，接着向硅片表面喷洒并浸渍低表面张力药液，然后向硅片表面喷洒去离子水，再接着向硅片表面喷洒刻蚀或清洗药液；最后向硅片表面喷洒去离子水并干燥。本发明提供的改善小尺寸高深宽比结构的湿法工艺润湿性的方法，增加湿法药液对小尺寸高深宽比结构的润湿性，从而使湿法药液可以进入到小尺寸高深宽比结构的底部对其进行彻底的清洗，本发明提高了湿法工艺的效果，以确保后续工艺的有效性，从而提高了器件的电学性能以及生产良率。

主权项

一种改善小尺寸高深宽比结构的湿法工艺润湿性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、提供一半导体硅片，将硅片固定在硅片托架上，由所述托架带动其旋转；步骤S02、向硅片表面喷洒低表面张力药液，并持续第一喷洒时间；步骤S03、使药液浸渍硅片，并持续第一浸渍时间；步骤S04、向硅片表面喷洒去离子水，并持续第二喷洒时间；步骤S05、向硅片表面喷洒刻蚀或清洗药液，并持续第三喷洒时间；步骤S06、向硅片表面喷洒去离子水，并持续第四喷洒时间；步骤S07、对硅片进行干燥，并将硅片存放至硅片盒中。