发明名称 ZUSAMMENGESETZTE KONTAKTSTÖPSEL-STRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
摘要 Ein Kontaktstöpsel einer Ausführungsform umfasst eine Zwei-Schichten-Struktur und eine Diffusionsbarriere-Schicht und eine Bodenfläche der Zwei-Schichten-Struktur. Die Zwei-Schichten-Struktur umfasst einen leitenden Kern und eine leitende Auskleideschicht auf einer Seitenwand und einer Bodenfläche des leitenden Kerns. Bei dem Kontaktstöpsel der Ausführungsform umfasst die leitende Auskleideschicht Kobalt oder Ruthenium.
申请公布号 DE102014109352(A1) 申请公布日期 2015.11.05
申请号 DE201410109352 申请日期 2014.07.04
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. 发明人 LIN, YU-HUNG;CHANG, CHIH-WEI;HSU, CHIA-LIN;LIN, SHENG-HSUAN;CHOU, YOU-HUA
分类号 H01L23/522;H01L21/28;H01L21/768 主分类号 H01L23/522
代理机构 代理人
主权项
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