ナノピラミッドサイズ光電構造及びそれを製造するための方法

摘要

本発明の特徴は、方法と装置を提供する。１つの実施形態において、本発明は、ダイオード、ＬＥＤ及びトランジスタのような、多数の半導体装置に適用可能な窒化物半導体の成長に関する。本発明の方法によれば、窒化物半導体ナノピラミッドは、ＣＶＤベースの選択領域成長技術を利用し成長される。ナノピラミッドは、直接又はコア−シェル構造のように成長される。