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<p>Eine Ausführungsform umfasst einen Oszillator, der einen Verstärker, der auf einem Substrat ausgebildet ist; ein Resonanzkanalarray mit mehreren Gates umfasst, das auf dem Substrat ausgebildet ist, umfassend: (a) Transistoren, die Grate umfassen, wobei jeder der Grate einen Kanal zwischen dem Source- und Drain-Knoten aufweist, der mit gemeinsamen Source- und Drain-Kontakten gekoppelt ist; und (b) gemeinsame erste und zweite Tri-Gates, die mit jedem der Grate gekoppelt sind und zwischen den Source- und Drain-Kontakten positioniert sind; worin die Grate mechanisch bei einer ersten Frequenz mitschwingen, wenn das eine von dem ersten und zweiten Tri-Gate periodisch aktiviert wird, um periodische Abwärtskräfte auf den Graten zu erzeugen. Andere Ausführungsformen umfassen einen nicht planaren Transistor mit einem Kanal zwischen dem Source- und Drain-Knoten und einem Tri-Gate auf dem Grat; worin der Grat mechanisch mitschwingt, wenn das erste Tri-Gate periodisch aktiviert wird, um periodische Abwärtskräfte auf dem Grat zu erzeugen. Andere Ausführungsformen sind hierin beschrieben.</p> |
