发明名称 具有可变电阻电路的半导体集成电路
摘要 本发明提供一种具有可变电阻电路的半导体集成电路,其不会因微调用的开关元件的导通电阻而在电阻值中产生误差,且不存在电源电压依赖性和温度依赖性,布局面积小。作为解决手段,采用了如下结构,即,具有:电阻电路,其串联连接有多个电阻;选择电路,其具有选择多个电阻的串联连接数量的多个开关元件;以及控制电路,其控制开关元件的导通电阻值,其中,控制电路控制为,使得开关元件的导通电阻值与电阻电路的电阻的电阻值成为预定比例。
申请公布号 CN102332908B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201110153796.0 申请日期 2011.06.09
申请人 精工电子有限公司 发明人 宇都宫文靖
分类号 H03K19/08(2006.01)I 主分类号 H03K19/08(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;黄纶伟
主权项 一种具有可变电阻电路的半导体集成电路,其特征在于,具有:电阻电路,其在第1输出端子与第2输出端子之间串联连接有多个电阻;选择电路,其具有连接在所述多个电阻的各个中间端子与所述第2输出端子之间的多个开关元件,选择所述多个电阻的串联连接数量;以及控制电路,其控制所述开关元件的导通电阻值,所述控制电路控制为,使得所述开关元件的导通电阻值与所述电阻电路的所述第1输出端子和所述第2输出端子之间的电阻值成为预定比例,所述控制电路具有与所述电阻电路的电阻相同特性的基准电阻,根据所述基准电阻的电阻值控制所述开关元件的导通电阻值,所述开关元件为MOS晶体管,所述控制电路为如下结构:具有与所述开关元件相同导电型的基准用MOS晶体管,控制所述基准用MOS晶体管的栅极电压,使得所述基准用MOS晶体管的导通电阻值与所述基准电阻的电阻值成为期望比例,所述控制电路将所述基准用MOS晶体管的栅极电压提供给所述开关元件的MOS晶体管的栅极。
地址 日本千叶县