发明名称 SUBSTRATE ETCHING APPARATUS AND SUBSTRATE ANALYSIS METHOD
摘要 본 발명은 기판 상의 폴리실리콘이나 기판을 구성하는 벌크 실리콘의 에칭에 적합한 에칭장치를 제공한다. 본 발명은 에칭 가스를 기판의 둘레 가장자리로부터 대략 중심으로 유동시키는 가스 유동 조정 수단을 구비하는 에칭장치에 관한 것으로, 폴리실리콘이나 벌크 실리콘을 기판 전면에 대해서 균일한 두께로 에칭 가능하게 하는 기술에 관한 것이다. 또한 가스 유동 조정 수단은 상하 이동 가능하게 설치되어 있어, 그의 조정에 의해 에칭 속도를 제어할 수 있다.
申请公布号 KR20150120409(A) 申请公布日期 2015.10.27
申请号 KR20157024744 申请日期 2014.01.21
申请人 IAS INC. 发明人 KAWABATA KATSUHIKO;HAYASHI TAKUMA;IKEUCHI MITSUMASA;LEE SUNG JAE;KUNIKA JIN
分类号 H01L21/306;G01N1/32;H01J37/32;H01L21/78 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
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