| 摘要 |
<p>(i) (A)극성기가 산의 작용에 의해 분해해서 탈리하는 탈리기로 보호된 구조를 갖는 반복단위(p)를 갖는 수지와 (B)활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물에 의해 막을 형성하는 공정, (ii) 상기 막을 노광하는 공정 및 (iii) 상기 노광된 막을 유기용제를 포함하는 현상액을 이용하여 현상해서 네거티브형의 패턴을 형성하는 공정을 갖는 패턴형성방법으로서, 상기 반복단위(p)는 카르복실기에 있어서의 수소원자가 산의 작용에 의해 분해해서 탈리하는 탈리기로 치환된 구조를 갖는 반복단위(p1)를 함유하고, 또한 상기 반복단위(p1)에 있어서의 상기 탈리기는 상기 카르복실기에 있어서의 -COO-기에 직접적으로 결합하는 제 4 급 탄소원자와 극성기를 갖는 패턴형성방법에 의해, 선폭 러프니스 등의 러프니스 성능, 국소적인 패턴 치수의 균일성 및 노광 래티튜드가 우수하고, 현상에 의해 현성되는 패턴부의 막두께 저하, 즉 막감소를 억제할 수 있는 패턴형성방법, 이것에 사용되는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 그리고 이것을 사용한 전자 디바이스의 제조방법 및 전자 디바이스를 제공한다.</p> |
