发明名称 |
CMOSイメージセンサの列共有2?2画素ユニットおよび画素アレイ |
摘要 |
本発明は、CMOSイメージセンサの列共有2?2画素ユニットおよび画素アレイを公開する。CMOSイメージセンサ列共有2?2画素ユニットおよびCMOSイメージセンサ画素アレイは、4つの画素を2?2画素アレイに配置して1セットの画素ユニットとし、各セットの画素ユニットの前列の2つの画素および後列の2つの画素はそれぞれ列内にて選択トランジスタ、ソースフォロアトランジスタ、リセットトランジスタ、フローティングアクティブ領域を共有しており、CMOSイメージセンサ画素アレイ中の金属線は2層の金属線で接続しており、第0の層の金属線および第1の層の金属線のみを素子の制御線として使用することで画像情報を収集する機能を実現するものであり、第2の層以上の高い層の金属線を素子制御線とすることなく、フォトダイオードSi表面上の媒体高さを効果的に低くし、より多くの光をフォトダイオードに入射させることで、小面積イメージセンサの光利用効率および変換利得を高めることで、感度を向上させることができるので、小面積画素イメージセンサの画質を効果的に高めることができる。【選択図】図4 |
申请公布号 |
JP2015530749(A) |
申请公布日期 |
2015.10.15 |
申请号 |
JP20150532274 |
申请日期 |
2012.12.14 |
申请人 |
北京思比科▲微▼▲電▼子技▲術▼股▲分▼有限公司BEIJING SUPERPIX MICRO TECHNOLOGY CO.,LTD. |
发明人 |
郭 同▲輝▼;▲陳▼ 杰;▲劉▼ 志碧;▲曠▼ 章曲;唐 冕 |
分类号 |
H01L27/146;H01L27/14;H04N5/369;H04N5/3745 |
主分类号 |
H01L27/146 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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