发明名称 传感器基板、其制造方法和具有传感器基板的显示装置
摘要 本发明公开了传感器基板、其制造方法和具有传感器基板的显示装置。传感器基板包括:基底基板以及基底基板上的感测晶体管和开关晶体管。感测晶体管包括:第一栅电极、第一栅电极上的光学响应图案、光学响应图案上的并且彼此隔开的第一源电极和第一漏电极、第一源电极和光学响应图案之间的第一氧化物半导体图案、以及第一漏电极和光学响应图案之间的第二氧化物半导体图案。开关晶体管包括:第二栅电极、第二栅电极上的第三氧化物半导体图案、以及第三氧化物半导体图案上彼此隔开的第二源电极和第二漏电极。
申请公布号 CN104978080A 申请公布日期 2015.10.14
申请号 CN201510146210.6 申请日期 2015.03.30
申请人 三星显示有限公司 发明人 吕伦钟;金志宪;赵炫珉
分类号 G06F3/042(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I 主分类号 G06F3/042(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 梁丽超;陈鹏
主权项 一种传感器基板,包括:基底基板;所述基底基板上的感测晶体管;以及所述基底基板上的开关晶体管,所述感测晶体管包括:第一栅电极;所述第一栅电极上的光学响应图案;第一源电极和第一漏电极,位于所述光学响应图案上并且彼此间隔开;第一氧化物半导体图案,介于所述第一源电极和所述光学响应图案之间;以及第二氧化物半导体图案,介于所述第一漏电极和所述光学响应图案之间,所述开关晶体管包括:第二栅电极;所述第二栅电极上的第三氧化物半导体图案;以及第二源电极和第二漏电极,位于所述第三氧化物半导体图案上并且彼此间隔开。
地址 韩国京畿道