发明名称 |
传感器基板、其制造方法和具有传感器基板的显示装置 |
摘要 |
本发明公开了传感器基板、其制造方法和具有传感器基板的显示装置。传感器基板包括:基底基板以及基底基板上的感测晶体管和开关晶体管。感测晶体管包括:第一栅电极、第一栅电极上的光学响应图案、光学响应图案上的并且彼此隔开的第一源电极和第一漏电极、第一源电极和光学响应图案之间的第一氧化物半导体图案、以及第一漏电极和光学响应图案之间的第二氧化物半导体图案。开关晶体管包括:第二栅电极、第二栅电极上的第三氧化物半导体图案、以及第三氧化物半导体图案上彼此隔开的第二源电极和第二漏电极。 |
申请公布号 |
CN104978080A |
申请公布日期 |
2015.10.14 |
申请号 |
CN201510146210.6 |
申请日期 |
2015.03.30 |
申请人 |
三星显示有限公司 |
发明人 |
吕伦钟;金志宪;赵炫珉 |
分类号 |
G06F3/042(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I |
主分类号 |
G06F3/042(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
梁丽超;陈鹏 |
主权项 |
一种传感器基板,包括:基底基板;所述基底基板上的感测晶体管;以及所述基底基板上的开关晶体管,所述感测晶体管包括:第一栅电极;所述第一栅电极上的光学响应图案;第一源电极和第一漏电极,位于所述光学响应图案上并且彼此间隔开;第一氧化物半导体图案,介于所述第一源电极和所述光学响应图案之间;以及第二氧化物半导体图案,介于所述第一漏电极和所述光学响应图案之间,所述开关晶体管包括:第二栅电极;所述第二栅电极上的第三氧化物半导体图案;以及第二源电极和第二漏电极,位于所述第三氧化物半导体图案上并且彼此间隔开。 |
地址 |
韩国京畿道 |