| 发明名称 | 基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法，其特征在于通过氧化亚铜薄膜衬底，直接制备出低成核密度石墨烯单晶，具体制备步骤包括：(1)氧化亚铜薄膜的制备；(2)低密度石墨烯单晶制备。本发明提出了新的制备工艺，使CVD石墨烯的单晶密度控制更加容易，可以使处理后的铜表面的石墨烯成核密度大大降低，从而提高单晶尺寸，减少石墨烯晶界对薄膜电学性质的影响。本发明所述的制备方法重复性高、简单易行。 | ||
| 申请公布号 | CN104975344A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510401391.2 | 申请日期 | 2015.07.09 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张浩然;于广辉;张燕辉;张亚欠;陈志蓥;隋妍萍 |
| 分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 基于氧化亚铜薄膜衬底低成核密度石墨烯单晶的制备方法，其特征在于通过制备表面为氧化亚铜薄膜衬底，直接制备出低成核密度的石墨烯单晶。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||