发明名称 НАНОСТРУКТУРНЫЙ ИСТОЧНИК ПОЛЯРИЗОВАННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ
摘要 Наноструктурный источник поляризованных электронов, содержащий контактирующие пленочные материалы с разными работами выхода электронов в виде периодической гетероструктуры, отличающийся тем, что дополнительно содержит источник света, вакуумную оболочку, последовательно расположенные в вакуумной оболочке полупрозрачный эмиттер с отрицательным электронным средством, ускоряющий электрод и многослойную гетероструктуру с вертикальными переходами, причем первый и последний слои гетероструктуры выполнены из широкозонного полупроводника, при этом на выходном слое гетероструктуры сформирован эмиттер с отрицательным электронным средством, а широкозонные слои электрически соединены друг с другом, узкозонные слои соединены электрически друг с другом.
申请公布号 RU2014112468(A) 申请公布日期 2015.10.10
申请号 RU20140112468 申请日期 2014.03.31
申请人 Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанское высшее воздушно-десантное командное училище (военный институт) имени генерала армии В.Ф. Маргелова" Министерства обороны Российской Федерации;Российская Федерация, в лице которой выступает Министерство обороны Российской Федерации 发明人 Волков Степан Степанович;Пузевич Николай Леонидович;Мамедова Галина Владимировна;Шилеева Наталья Михайловна;Дмитриев Владимир Владимирович;Прокофьев Денис Валерьевич
分类号 G02B1/00;B82B3/00 主分类号 G02B1/00
代理机构 代理人
主权项
地址