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<p>메모리 셀 그룹은 다수의 패스의 프로그래밍 전압이 상관되는 다중 패스 프로그래밍 방법을 사용하여 병렬로 그 타깃 상태로 각각 프로그램된다. 각 프로그래밍 패스는 공통 단차 크기를 갖는 계단식 펄스 트레인 형태의 프로그래밍 전압을 사용하고, 각 연속적 패스는 미리 결정된 오프셋 레벨만큼 이전 패스의 것으로부터 오프셋된 계단식 펄스 트레인을 갖는다. 미리 결정된 오프셋 레벨은 공통 단차 크기 미만이며, 이전 패스의 미리 결정된 오프셋 레벨과 같거나 그보다 작을 수 있다. 따라서, 각 연속적 패스가 더 미세한 단차 크기를 갖는 프로그래밍 계단식 펄스 트레인을 사용하는 종래의 방법보다 더 적은 프로그래밍 펄스를 사용하여 다수의 패스에 걸쳐 동일한 프로그래밍 해독성이 달성될 수 있다. 다중 패스 프로그래밍은 전체 프로그래밍 펄스의 수를 감소시키면서 프로그램된 임계치의 분포를 밀집화시키도록 기능한다.</p> |
