| 摘要 |
<p>Ein Verfahren zum Bilden einer FinFET-Struktur (200) mit einem Metall-Isolator-Metall-Kondensator. Auf einem Halbleitersubstrat (202, 204) werden Fins (206) aus Silicium gebildet, gefolgt von der Bildung des Metall-Isolator-Metall-Kondensators auf den Fins (206) aus Silicium mittels Abscheiden von aufeinanderfolgenden Schichten aus einer ersten Schicht (208) aus Titannitrid, einer dielektrischen Schicht (210) sowie einer zweiten Schicht (212) aus Titannitrid. Über den Schichten (208, 210, 212) des Metall-Isolator-Metall-Kondensators wird eine Schicht (214) aus Polysilicium abgeschieden, gefolgt von einem Zurückätzen der Schicht (214) aus Polysilicium und der Schichten (208, 210, 212) des Metall-Isolator-Metall-Kondensators von Enden der Fins (206) aus Silicium aus derart, dass die ersten und die zweiten Enden der Fins (206) aus Silicium aus der Schicht (214) aus Polysilicium hervorragen.</p> |
